8月7日，长江存储科技有限责任公司公开发布其突破性技术——Xtacking。长江存储称，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，及更短的产品上市周期。据悉，这之前存储一直都是三星的强项。
长江存储CEO杨士宁博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”
采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
Xtacking技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。长江存储已将Xtacking技术应用于其第二代产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。
