JEDEC固态技术协会近日宣布发布通用闪存标准（Universal Flash Storage）UFS 3.1版（JESD220E），UFS 3.1标准相比之前的版本，主要做了三个主要更新。
- 1.写增强（Write Booster）：通过一个SLC非易失性缓存，来提高数据写入速度；
- 2.深度睡眠（DeepSleep）：增加了一种新的低功耗状态，让低成本UFS设备可以使用统一的稳压器；
- 3.性能限制通知：当温度过高而影响存储性能时，UFS设备可以通知主机，以便避免影响使用体验。
从新增特性来看，UFS 3.1标准实现了更高的写入性能、更低的功耗以及更稳定的性能管理，与新一代移动终端的存储需求非常匹配。虽然这两年曾经有过关于eMMC 5.0、eMMC5.1、UFS 2.0和UFS 2.1标准在体验方面的争论，但是从基本规格来看，升级到最新的标准势在必行。
不过坦白讲，在2020年想要看到智能手机全线升级到UFS 3.0或者3.1并不容易，因为新标准的普及需要一段时间以及更高的成本。从近期更新的SoC平台规格来看，甚至某些最高也只能支持到UFS 2.1，想要采用UFS 3.0根本不可能。
另外值得关心的还有新发布的的新版主机性能增强器（HPB）扩展标准（JESD220-3）。HPB扩展允许将UFS设备逻辑到物理地址（LTP）的映射缓存在系统内存中，对于大容量UFS设备而言，使用系统内存进行地址映射缓存可以提高设备的读取性能并降低UFS控制器的成本。对于更依赖随机读写操作的移动设备来说，HPB功能可以显著提高使用体验。
